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近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度遭到广阔电源规划工程师的喜爱，可是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复二极管，低Qg 和Coss能够完全满意这些需求并大大提高电源体系的可靠性。

长期以来，提高电源体系功率密度，功率以及体系的可靠性一直是研制人员面对的重要课题。提高电源的开关频率是其间的办法之一，可是频率的提高会影响到功率器材的开关损耗，使得提高频率对硬开关拓扑来说效果并不十分显着，硬开关拓扑现已达到了它的规划瓶颈。

1、Coolmos选型

一般选择一颗MOS大致看以下几个参数BVIdRdsVthQgPd等。可是这几个参数，只要Qg和Id是交流参数，其他都是静态参数。而半导体这东西就是随温升变坏的。那动态参数，其实是变坏的。25度的电流是100A，或许125度的时分，电流只要50A，所以选型的时分要以高温下(老化房)的数据为准。那选好了电压、电流，剩余就是看Coolmos的损耗了。Coolmos在外表的是Rdson较低，只要平面管的1/3或者1/4，那MOS的导通损耗必定较之平面管要低不少。MOS的别的一个损耗，开关损耗其实往往愈加占主导。开关损耗在MOS里最直接表现的数值是Trr。这也是Coolmos最中心的参数。从coolmos的开展来看C3C6CPCFDCFD2都是在Trr上下功夫(C6在外，他是C3的Costdown)。你是电源规划者，Trr的合理运用，你比我清楚。Coolmos在实践使用中，MOS前段的Rg驱动，一般对电阻要求会低许多。这也能下降损耗。举个比如，20N60C3MOS前段的驱动电阻一般可做到15mohm以下，可是也不是越低越好，开关越高，EMI的问题就出来了。所以驱动电阻的选择要综合考虑，在EMI允许的情况下，尽量下降驱动电阻。

2.Coolmos选用散热办法

只能说要看功率，举个比如，150W的LED电源上，你觉得能够不加散热嘛?15W的LED电源上，加散热装置，那有当地么?Coolmos，在使用端，处理了有的电源计划需求电子器材更小的体积，甚至是去掉散热片(如iphoness的充电器)，而大功率上垂青Coolmos的仍是他能下降损耗，所以散热片是一定要加的。

3.Coolmos使用

现在在国内使用仍是十分片面的，任重而道远。举个比如，在一个70W的笔记本适配器上，许多仍是用的20A的平面管(或者是16A)，可是我们知道实践电路里的有用电流其实很小，用20A仅仅垂青他的低内阻，下降损耗，下降温升。如果运用Coolmos，以为还需求16A的，那平等电流，价格必定不可比的。其实呢，Coolmos10A满足去代替了。开关损耗，Coolmos要较平面管低许多，内阻的话Coolmos的10A较之16A的平面也不会高多少，在高温下，根本内阻是共同的。(有机会发个试验数据，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，内阻是相差不多的条件，带负载，表现开关损耗低的特色)。

4.总结

MOS在开展，损耗会越来越低。电源计划只会像更高功率和更小体积开展。

Coolmos的主旨是寻求：开关最低损耗。在Coolmos上，是经过P柱，构成更大的PN结，然后下降Rds。可是就好像你讲的，Coolmos，下降了Rds，所以他的EAS才能较之平面管要低，这也对电源规划者提出了更高的要求。可是我们都知道，能用得起Coolmos的电源，根本称之为高级电源，那计划的规划必定是精雕细镂的。
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