第一种：雪崩毁坏
假如在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且到达击穿电压V(BR)DSS （依据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发作毁坏的现象。在介质负载的开关运转断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而招致毁坏的形式会惹起雪崩毁坏。典型电路：
第二种：器件发热损坏
由超出安全区域惹起发热而招致的。发热的缘由分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率缘由：外加直流功率而招致的损耗惹起的发热
●导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，招致一定电流下，功耗增加）
●由漏电流IDSS惹起的损耗（和其他损耗相比极小）瞬态功率缘由：外加单触发脉冲
●负载短路
●开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的）
●内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）器件正常运转时不发作的负载短路等惹起的过电流，形成瞬时部分发热而招致毁坏。
另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度招致热击穿的毁坏。
第三种：内置二极管毁坏
在DS端间构成的寄生二极管运转时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运转，招致此二极管毁坏的形式。
第四种：由寄生振荡导致的毁坏
此毁坏方式在并联时特别容易发作在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接衔接时发作的栅极寄生振荡。高速重复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg构成的谐振电路上发作此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压招致栅极毁坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压经过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形堆叠招致正向反应，因而可能会由于误动作惹起振荡毁坏。
第五种：栅极电涌、静电毁坏
主要有因在栅极和源极之间假如存在电压浪涌和静电而惹起的毁坏，即栅极过电压毁坏和由上电状态中静电在GS两端（包括装置和和测定设备的带电）而招致的栅极毁坏。
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