下图为一个分立器件搭建的BUCK电路，但是不明白图中的两个肖特基二极管（D1.D2）的作用是什么
8.3.2 肖特基箍位
提高晶体管开关速度的另一个方法是利用肖特基二极管箍位。这种方法是74LS、74ALS、74AS等典型的数字IC TTL的内部电路中所采用的技术。
图8.14是对图8.5的电路进行肖特基箍位的电路。所谓肖特基箍位在基极-集电极之间接入肖特基二极管。这种二极管不是PN结,而是由金属与半导体接触形成具有整流作用的二极管,其特点是开关速度快,正向电压降Vμ比硅PN结小,准确地说叫做肖特基势垒二极管。这里的肖特基二极管采用1SS286(日立)。
照片8.7是给图8.14的电路输入100kHz.0V/+5V方波时的输人输出波形。可以看出其效果与接入加速电容(参见照片8. 6)时相同,晶体管从导通状态变化到截止状态时没有看到时间滞后。
图8.15是图8.14的电路中晶体管处于导通状态(输出为0V)时的动作。如图8.16所示,肖特基二极管的正向电压降V比晶体管的Vm小(图8. 14电路中的Vp≈0.3V),所以本来应该流过晶体管的大部分基极电流现在通过D.被旁路掉了。这时流过晶体管的基极电流非常小，所以可以认为这时晶体管的导通状态很接近截止状态。
因此，如照片8.7所示从导通状态变化到截止状态时的时间滞后非常小(基极电流小，所以电荷存储效应的影响小)。照片8.7中,输出波形由0V变化到+5V
8.3.3 如何提高输出波形的上升速度;
照片8.8是图8. 14所示的电路中R:= 1kQ时的开关波形(输入信号是100kHz、0V/+5V的方波)。可以看出当R，小时由于低通滤波器的截止频率升
高,所以输出波形从0V变化到+5V时的上升速度加快了。加速电容是一种与减小R值等效的提高开关速度的方法(减小R值,也会加快输出波形的上升速度)。肖特基箍位可以看作是改变晶体管的工作点,减小电荷
存储效应影响,提高开关速度的方法。
由于肖特基箍位电路不像接人加速电容那样会降低电路的输入阻抗，所以当驱动开关电路的前级电路的驱动能力较低时,采用这种方法很有效。
在设计这种电路时需要注意肖特基二极管的反向电压VR的最大额定值。肖特基二极管中某些器件的Vg最大额定值非常低(高频电路中应用的某些器件仅为
3V)。图8.14的电路中因为晶体管截止时电源电压原封不动地加在D.上，所以必须使用Vx的最大额定值大于5V的器件(1SS286是25V)。
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