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１、功率管发烧

要留意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要弘远于导通损耗。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发烧时，首先要想想是不是频率选择的有点高。

B、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。假如电感饱和电流够大，可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式)，这样就需要增加一个负载电容了。想办法降低频率吧!不外要留意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必定要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。功率管的功耗分成两部门，开关损耗和导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。 如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。

２、电感或者变压器的选择

有的工程师没有留意到这个现象，直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流，这样做可能会严峻影响LED的使用寿命。变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也随着增加。碰到这种情况，要看看电感电流波形。 在均匀电流不变的条件下，只能看着光衰了。有些在相同的驱动电路，用a出产的电感没有题目，用b出产的电感电流就变小了。所以说，在设计前，公道的计算是必需的，假如理论计算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是否降频和变压器是否饱和。

３、芯片发烧

假如c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，留意不要引入额外的功耗。 驱动芯片的最大电流来自于驱动功率mos管的消耗，简朴的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所认为了降低芯片的功耗，必需想办法降低c、v和f。如果芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发烧。再简朴一点，就是考虑更好的散热吧。这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。

４、LED电流大小

以前问过LED厂这个数据，他们说30%以内都可以接受，不外后来没有经由验证，假如散热解决的不好的话，LED一定要降额使用。大家都知道LEDripple过大的话，LED寿命会受到影响，影响有多大，也没见过哪个专家说过。也但愿有专家能给个详细指标，要不然影响LED的推广。建议仍是尽量控制小点。

５、工作频率降频

对于前者，留意不要将负载电压设置的太高，固然负载电压高，效率会高点。这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。。不管如何降频没有好处，只有坏处，所以一定要解决。对于后者，可以尝试以下几个方面：a、将最小电流设置的再小点；b、布线干净点，特别是sense这个枢纽路径；c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感；d、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，不外对于照明来说应该够了。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。

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