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PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，固然PMOS可以很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价钱贵，交流种类少等缘由，在高端驱动中，通常还是运用NMOS。电路分析如下：pmos的开启条件是VGS电压为负压，并且电压的绝对值大于最低开启电压，普通小功率的PMOS管的最小开启电压为0.7V左右，假定电池充溢电，电压为4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是导通的，电路是没有问题的。当5V电压时，G极的电压为5V，S极的电压为5VV-二极管压降（0.5左右）=4.5V，PMOS管关段，当没有5V电压时，G极电压下拉为0V，S极的电压为电池电压（假定电池充溢电4.2V）-MOS管未导通二极管压降（0.5V）=3.7，这样PMOS就导通，二极管压降就没有了这样VGS=-4.2V.PMOS管导通对负载供电。在这里用一个肖特基二极管（SS12）也可以处置这个问题，不过就是有0.3V左右的电压降。这里运用PMOS管，PMOS管完好导通，内阻比较小，优与肖特基，几乎没有压降。不过下拉电阻运用的有点大，驱动PMOS不需求电流的，只需电压抵达就可以了，可以运用大电阻，减少工作电流，推荐运用10K-100K左右的电阻。

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值普通偏高，央求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)呈现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价钱低价，有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

改动栅压可以改动沟道中的电子密度，从而改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假定N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上恰当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。