结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和MOS管P沟道两种。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子介入导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子介入导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等长处,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强盛竞争者。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。
MOS场效应晶体管因为输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应留意以下规则:
(1). MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
(2).掏出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。
(3).MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装MOS场效应晶体管在使用时应留意分类,不能随意互换。
(4). 焊接用的电烙铁必需良好接地。在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏。
(7). MOS场效应晶体管的栅极在答应前提下,最好接入保护二极管。
(5). 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。拆机时顺序相反。
(6).电路板在装机之前,要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子,再把电路板接上去。
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