mos管的特点
mos管的特点是什么？MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
MOS管解析
场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全称是金属 - 氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
关于寄生二极管的作用，有两种解释：
1、MOSFET 的寄生二极管，作用是防止 VDD 过压的情况下，烧坏 MOS 管，因为在过压对 MOS 管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免 MOS 管被烧坏。
2、防止 MOS 管的源极和漏极反接时烧坏 MOS 管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
MOSFET 具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。
mos管的特点-MOS管和IGBT的结构特点
MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。
IGBT 的理想等效电路如下图所示，IGBT 实际就是 MOSFET 和晶体管三极管的组合，MOSFET 存在导通电阻高的缺点，但 IGBT 克服了这一缺点，在高压时 IGBT 仍具有较低的导通电阻。
另外，相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET，IGBT 的速度可能会慢于 MOSFET，因为 IGBT 存在关断拖尾时间，由于 IGBT 关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
mos管的特点及特性
1、导通特性
导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。Vgs满足一定条件就会导通。
2、损失特性
导通后均有导通电阻存在，电流就会被电阻消耗能量，这部分叫做导通损耗；小功率的管子导通电阻一般几毫欧几十毫欧，Vgs电压不一样电阻也不一样。管子在导通和截止时，两端电压有个降落过程，电流有个上升过程，在这段时间内管子的损失是电压和电流的乘积，称之为开关损失；通常开关损失比导通损失大很多，频率越快，损失越大。缩短开关时间，降低开关频率均能减小开关损失。
3、寄生电容驱动特性
GS GD之间存在寄生电容，MOS管的驱动理论上是对电容的充放电；对电容的充电需要一个电流，由于电容充电瞬间可以看成短路，所以瞬间电流会比较大，所以选型时需要注意抗冲击电流大小。
4、寄生二极管
漏极源极之间有个寄生二极管也叫做体二极管，在感性负载（马达继电器）应用中，主要用来保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中，集成芯片中是没有的。
5、转移特性
场效应管的转移特性是指漏源电压固定时，栅源电压Vgs对漏极电流Id的控制特性；
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