总的来说，只要加的反向电压足够大，耗尽区最大电场强度就会足够大，当电场强度达到临界击穿场强时 PN 结就击穿了（也可以说是反向电流急剧增加）。下面从微观物理层面看一下击穿机理。
首先看下二极管 （PN结）击穿都有什么机制：
形成反偏 PN 结击穿的物理机制有三种：
1）齐纳击穿 (zener breakdown)
2）雪崩击穿 (avalanche breakdown)
3）热击穿 (thermal breakdown)
然后解释下三种击穿机制：
齐纳击穿是重掺杂 PN 结量子效应下的隧穿机制。在重掺杂条件下，P 区价带与 N 区导带相距近（N 区导带底部低于 P 区价带顶部），反偏电压可以轻易地使 P 区价带中的电子直接隧穿到到 N 区的导带中，形成电流（击穿电流）。稳压二极管的英文叫 zener diode，这是因为其是利用了齐纳击穿特性，但是利用雪崩击穿特性也能制作稳压二极管。
雪崩击穿是在高反偏电压下（外加的反向电场足够大），高能量的电子撞击其他电子导致电子脱离了共价键束缚，从而使载流子数量成倍增加（或者叫雪崩增加）。雪崩击穿是 PN 结的主要击穿机制。
热击穿是在高温下，半导体电阻率随温度增加而减小，电流随着电阻率的降低而增大，如果热量产生超过了二极管自身的散热能力，二极管的电流就会一直增加（会导致不可逆化），而二极管的热击穿一般是先发生了前两种击穿（齐纳击穿或雪崩击穿）有了很大电流之后发生的。
总结一下，齐纳击穿和雪崩击穿是软击穿，就是说在临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流可在很大范围内变化而电压基本不变。但是热击穿是不可逆的。
也就是说无论哪种击穿机制，从 PN 结内部看都是反向电流急剧增大，所以你看反向有电流而且电流还很大，所以二极管不再只具有单向导电性。
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