场效应管的简单接法
举例说明,下图是一个通俗、简单的场效应管驱动LED的电路图,左图为N沟道场效应管(型号IRF630) , 右图为P沟道场效应管(型号IRF9640) , 电源电压12V ,具体到实际电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中可以初步了解场效应管做开关电路的接法。下面简要说明。
场效应管,英文缩写MOSFET ,一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同, MOSFET分为N沟道型(上图)和P沟道型(下图) , 如下面图所示,一般使用N沟道型可带来便捷性。
场效应管的简单接法
N沟道MOSFET管用法: (栅极G高电平D与S间导通,栅极G低电平D与S间截止, P沟道与之相反)；栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极(模拟地) ,漏极(D)接负载输出负极,负载输入正极直接接负载电源正极。
当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压(通常为1.2V ) , 源极(S)到漏极(D)导通,导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极,负载工作。
当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时,源极(S)到漏极(D)电阻极大,可以认为源极(S)到漏极([D)断路,则负载负极被负载电源正极拉高,负载不工作。( 这里只用最易理解的语言说说用法,事实上MOSFET的开启和关闭取决于栅极/基极(G)和源极(S)之间的正压差)
这样,我们只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无,即可控制负载的工作与不工作,形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快,一般在纳秒极 ,你就认为是瞬间开启/关闭就可以了,在MOSFET管内部是没有延迟的。
由于MOSFET管的快速开关特性,使用高频PWM方波信号对其栅极/基极(G)进行控制,可以在输出端获得超高速切换的平均电压,这个平均电压取决于PWM波的占空比。这就是UBEC或者电调等模型设备的降压和调速原理。这种高频开关降压方法几乎没有能量损失,效率一般在95%以上。
场效应管的简单接法
P沟道MOSFET管用法: (栅极G高电平D与S间截止,栅极G低电平D与S间导通)；栅极/基极(G)接控制信号,源极(S)接负载电源正极,漏极(D)接负载输入正极,负载输出负极直接接负载电源负极(模拟地)。
当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压(负载电源电压) 1.2V以上时,源极(S)到漏极(D)导通,导通电流很小,可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载正极被连通负载电源正极,负载工作。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压(负载电源电压)不足1.2V ,或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时,源极(S)到漏极(D)电阻极大,可以认为源极(S)到漏极(D)断路,则负载不工作。
MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里,复杂理论先不说它,知道怎么用就行了。如果仅仅是做为电子开关使用,也可以简单用三极管代替MOSFET管, 只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。
场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。
当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。
扩展资料：
场效应管使用注意事项
（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉。
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