1.判断栅极G
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判断源极S、漏极D
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）
在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
场效应管图形符号、特性、说明解析
场效应管的符号，N型沟道结型场效应管电路图形符号如左图所示，场效应管共有3个电极，电路图形符号中用字母表示各电极，栅极用G表示，源级用S表示，漏极用D表示。电路图形符号中表示出了结型与N型沟道，G极的箭头方向表示是P型还是N型沟道，N型沟道场效应管其G极箭头朝里。场效应管的符号，旧的N型结型场效应管电路图形符号中有个圆圈，如下图：
P型沟道结型场效应管电路图符号如左图所示，它的G极箭头向外，以表示是P型沟道，旧P型沟道结型场效应管的电路图形符号中有个圆圈，如下图：
场效应管的符号，左图为增强型P沟道绝缘栅极场效应管电路图符号，符号中表示出它是绝缘栅型场效应管电路图形符号中有个圆圈，如下图：
增强型N沟道绝缘栅型场效应管电路图形符号箭头朝里表示它是N沟道，旧的N沟道绝缘栅型场效应管电路图形符号中有个圈圈，如下图：
耗尽型N沟道绝缘栅型场效应管图形符号与增强型场效应管电路图形符号的不同之处是用实线表示，如下图：
耗尽型双栅N沟道绝缘栅型场效应管的电路图形符号如左图所示，这种场效应管有两个栅极G1、G2，如下图：
N沟道结型场效应管对管的电路图形符号如左图所示，它是在一个管壳内装上两只性能参数相同（十分相近）的场效应管，如下图：
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