MOS管和三极管原理图对比分析
在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制，那就少不了三极管的帮助。我们俗称的三极管其全称为半导体三极管，它的主要作用就是将微小的信号中止放大。MOS管与三极管有着许多相近的地方，这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别，本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同。
关于三极管和MOS管的区别，简单总结了几句话便当大家理解。
从性质上来说：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。
从本钱上来说：三极管低价，MOS管贵。
关于功耗问题：三极管损耗大。
驱动能力上的的不同：MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。
MOS管和三极管原理图并不复杂，但是分开讲述细节，反而不如对比起来容易理解。这里用一张图，让您轻松理解MOS管和三极管的工作原理。
MOS管和三极管区别原理图
这里以NMOS和NPN三极管为例，并且以电子流（而非电流）方向为主来说明。
一、MOS管和三极管符号
MOS管一般可以简化为三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D），MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况；
BJT三极管有三个极，分别是基极（B）发射极（E）和集电极（C），三极管是电流控制型器件，用基极电流来控制发射极与集电极的导通情况；
二、MOS管和三极管截止区
NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通；
NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通；
三、MOS管和三极管线性区
NMOS如果栅上加正电压，就会在其下感应出相反极性的负电荷，从而产生N型沟道，使源漏导通。如果不考虑源漏电压影响，则栅压高一点，产生的沟道就宽一点，导通能力就大一点，这就是线性区。
NPN管如果BE结加正向偏置导通，电子就会进入到基区。除了被基区的P型空穴俘获外，它们有两个地方可以去：一个是从基极流出，一个是被集电极更高的正电压吸收。集电极电压越高，能收集到的电子就会越多，这也是线性变化的。
四、MOS管和三极管饱和区
NMOS在漏极电压比较高时，会使沟道夹断，之后即使电压升高，电流不会再升高，因此叫做饱和区；
NPN三极管在集电极电压比较高时，也会几乎全部收集到从发射极过来的电子，电压再升高也没有办法收集到更多，也是它的饱和区。
五、MOS管和三极管电流电压曲线
MOS管和三极管区别的在线性区，随着电压升高，源漏电流或集电极电流上升。而在饱和区电压升高，电流基本都保持不变。二者的趋势基本一致。
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