高边指电源，低边指地，高边驱动和低边驱动是用来调试功率的，以驱动负载。
高边驱动：开关位于电源和负载之间； 低边驱动：开关位于负载和地之间。
通俗的来讲，高边驱动（HSD）是指通过直接在用电器或者驱动装置前通过在电源线闭合开关来实现驱动装置的使能，而低边驱动(LSD)则是通过在用电器或者驱动装置后，通过闭合地线来实现驱动装置使能。
高边驱动：形象点说，像在电路的电源端加了一个可控开关。高边驱动就是控制这个开关开关。低边驱动：形象点说，像在电路的接地端加了一个可控开关。低边驱动就是控制这个开关开关。
高边驱动特点：适用于精密装置的仪器，高边开关（一般是MOSFET开关）驱动复杂一点、布线成本低，一般采用高边驱动的话就得增加自举电路。
低边驱动特点：低边驱动比较容易实现（电路也比较简单，一般由MOS管加几个电阻、电容）、适用电路简化和成本控制的情况。
关于自举电路：目的是为了让GS保持一定的压降，以确保稳定、连续的开关，要是高侧mos的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路，自举电路只是在单电源供电时，高侧Vgs打不到控制要求而做的，当使用隔离电源控制就不需要自举。
自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管、自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高。有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。
自举电路通常用在高压驱动的场合中，通常用一个电容和一个二极管，电容存储电压，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。
自举电容：电压不能突变，通过充电放电的过程而产生电压自举、电位自举作用的。自举电容的充电的时间快，只要保持时间足够，占空比可达到95%。
自举二极管：利用其单向导电性完成电位叠加自举，二极管导通时，电容充电到U1 ，二极管截止时，电路通过电容放电时U1与电路串联叠加自举。
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