Icbo：发射极开路，集电极和基极正向额定电流！
Iceo：基极开路，集电极和发射极正向额定电流！
反向电流是指晶体管在截止状态下反方向漏电电流！
ICBO集电结反向饱和电流，ICEO集电极发射极反向饱和电流。要想详细的了解还是多看几遍模电书吧。
发射极开路时的反向漏电流ICBO：这实际上就是集电结的反向漏电流，与单个p-n结的反向饱和电流基本上相同，理想情况下都是少子的扩散电流；只是BJT中的ICBO一般要比单个p-n结的反向饱和电流稍大一些（因为基区宽度很窄，基区中少子的浓度梯度较大一些）。
对于实际的BJT，集电结内部和表面的产生中心（有害杂质或缺陷）所引起的电流往往起很大的作用。
* 基极开路时的反向漏电流ICEO：
这可看成是发射极接地、输入端（基极）开路时器件的反向漏电流，又称为穿透电流。
这时由于集电结反偏，通过的电流即是很小的ICBO；但是又由于发射结正偏，BJT是处于放大状态，有一定的放大作用（电流放大系数为β），因此通过器件的电流就成为了β×ICBO＋ICBO，这就是ICEO。所以，BJT的ICEO要比ICBO大得多。
对于二极管，反向偏置时会处于截至状态。而对于NPN型三极管，为什么集电极反向偏置时会有电流 Ic 通过呢，还请专业人士帮忙，谢谢。
这就是三极管和二极管的区别了，二极管只能是做个开关之类的使用，三极管因为特殊的结构却可以作为放大器来使用。NPN管可以分为发射区（N），基区（P），集电区（N）三各部分。然后分别引出三个引线。在放大工作状态下：
（1）发射区的载流子向基区扩散，形成电流Ie；
（2）电子在基区复合，然后向集电区的方向扩散，大部分电子都到了集电区的边缘；
（3）集电结是反偏的，所以它是阻挡自己集电区的电子向基区扩散的，但是它可以把基区的电子拉到集电区里来，这样就形成了Ic；
电流的方向是正电荷运动的方向，也就是电子运动的反向，我想你应该明白为啥还有Ic通过了吧。因为有电子从发射区到了集电区。在这个途中复合和消耗的电子，通过连接在E极和C极的电源进行不断的补充。
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