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对于有源器件不论是电子管，还是半导体器件的电流控制型常用的结型晶体管，以及以电压控制型的场效应器件，虽然各类器件的结构不太一样，但工作原理是基本一致的，而且电路的结构形式也非常相似，所谓有源器件那就是要想让其按照你的意图完成某种功能必须有给它提供工作的条件，那就是电源没有电源这个条件它是不能正常工作的，由于象电子管这样的有源器件应用范围在不断的缩小，在此只是粗略的说一下它的结构，以及与当前应用广范的电流控制型器件，也可以说的结型半导体器件以及场效应器件，它们的共同之处就是分别有三个电极也就是

电子管的栅极、阳极、阴极。

晶体管的基极、集电极、发射极。

效应管的栅极、漏极、源极。

在上述三种器件的排列中栅极与基极功能是一致的，排列第二阳极、集电极、漏极是同样的功能，最后的阴极、发射极、源极功能也是一样的，所不同的只是后两种的半导体器件与电子管相比，半导体器件由于制造材料与生产工艺的不同，就有了电路应用极性的区别，也就是；

电子管的阳极要接电源的正极，阴极接电源的负极；

NPN型晶体管的集电极接正极，发射极接负极，

PNP型晶体管的集电极接负极，发射极接正极；

P沟道场效应管的漏极接正极，其源极接负极，

N沟道场效应管的漏极接负极，其源极接正极。

上述器件电源的接法已经列出，接下来再谈谈各的电路结构形式，

电子管有共阴极电路，栅极是信号的输入端，阳极是信号的输出端，阴极就是信号输入输出的公共端因此名曰“共阴极”电路。

在晶体管的应用电路里也有与电子管相同的应用电路，不管是用于信号的放大、振荡、还是开关等下面先以NPN晶体管为例作一下介绍。

晶体管共发射极电路，集电极接电源的正极，发射极接电源的负极，信号由基极输入，由集电极输出，发射极就成了信号输入输出的公共端，因此这就是“共发射极”电路。关于PNP晶体管电路只是电源极性不同而已。

晶体管共集电极电路，这种电路的输出是发射极，集电极在信号方面是直接接“地”也就输入输出的公共端，信号的输入仍然是基极。

晶体管共基极电路，信号由发射极输入，由集电极输出，基极就成了信号输出与输出的公共端。当你查阅晶体管手册的时就发现fa的参数这就是公基极电路的截止频率，它比共发射极以及共集电极电路都要高。虽然该电路放大能力用限，但是这种电路高频放的频率特性较好，而且输入阻抗低，可与较低输入阻抗的天线系统容易匹配，输出阻抗高又能对输出电路选频回路影响较小，使高频输入电路的选择性能大大的提高了一个级别。

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