由于N沟道增强型MOS管最为常用，因此下面主要介绍这种类型的MOS管。
1．外形与结构
N沟道增强型绝缘栅场效应管（简称增强型NMOS管）如图2-14所示。
图2-14 N沟道增强型绝缘栅场效应管
增强型NMOS管的结构是以P型硅片作为基片（又称衬底），在基片上制作两个含很多杂质的N型材料，再在上面制作一层很薄的二氧化硅( SiO2)绝缘层，在两个N型材料上引出两个铝电极，分别称为漏极(D)和源极(S)，在两极中间的SiO2绝缘层上制作一层铝制导电层，从该导电层上引出电极称为G极。P型衬底与D极连接的N型半导体会形成二极管结构（称之为寄生二极管），由于P型衬底通常与S极连接在一起，所以增强型NMOS管又可用图2-14 (c)所示的符号表示。
2．工作原理
增强型NMOS管需要加合适的电压才能工作。加有电压的增强型NMOS管如图2-15所示，图2-15 (a)为结构图形式，图2-15 (b)为电路图形式。
图2-15 加有电压的增强型NMOS场效应管
如图2-15 (a)所示，电源E1通过R1接场效应管的D、S极，电源E2通过开关S接场效应管的G、S极。在开关S断开时，场效应管的G极无电压，D、S极所接的两个N区之间没有导电沟道，所以两个N区之间不能导通，ID电流为0；如果将开关S闭合，场效应管的G极获得正电压，与G极连接的铝电极有正电荷，由此产生的电场穿过SiO2层，将P衬底很多电子吸引靠近至SiO2层，从而在两个N区之间出现导电沟道，此时D、S极之间被加上正向电压，从而有ID电流从D极流入，再经导电沟道从S极流出。
如果改变E2电压的大小，即改变G、S极之间的电压UGS，与G极相通的铝层产生的电场大小就会变化，SiO2下面的电子数量就会变化，两个N区之间沟道宽度就会变化，流过的ID电流大小就会变化。UGS电压越高，沟道就会越宽，ID电流就会越大。
由此可见，改变G、S极之间的电压UGS，就能改变从D极流向S极的ID电流大小，并且ID电流变化较UGS电压变化要大得多，这就是场效应管的放大原理（即电压控制电流变化原理）。为了表示场效应管的放大能力，这里引入一个参数——跨导gm，gm用下面的公式计算：
gm反映了栅源电压Us对漏极电流ID的控制能力，是表述场效应管放大能力的一个重要的参数（相当于三极管的β），gm的单位是西门子(S)，也可以用A/V表示。
增强型绝缘栅场效应管具有的特点是：在G、S极之间未加电压（即UGS=0）时，D、S极之间没有沟道，ID=0；当G、S极之间加上合适电压（大于开启电压UT）时，D、S极之间有沟道形成，UGS电压变化时，沟道宽窄会发生变化，ID电流也会变化。
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