MOS场效应半导体三极管
双极性三极管是电流控制器件，其输入电阻不够高，在许多场合下不能满足人们的要求，经过不断的探索和实践，人们研制出一种仍具有PN结，但工作机理全然不同的新型半导体器件--场效应管(FET)。场效应三极管用电场效应来控制电流，故此命名，它的特点是输入阻抗高、噪音低、热稳定性好且抗幅射能力强，在工艺上便于集成，因此得到广泛的应用根据结构和原理的不同，场效应三极管可分为以下两大类。
① 结型场效应三极管(JFET)
② 绝缘栅型场效应三极管(MOS管)
结型场效应管（JFET）
以N沟道结型场效应管为例，以一块N型(多子为电子)半导体作基片，在它的两侧各光刻出一块区域，进行高浓度P+扩散(三价的硼)，在两侧形成两个PN 结。两个P+区的引出线连在一起，作为一个电极，称之为栅极G。在N型半导体的两端引出两个电极，分别叫源极S和漏极D。3个电极G、S、D的作用，可以近似地认为分别相当于半导体三极管的基极B、射极E和集电极C。
两个PN结之间的区域，称为导电沟道，当在漏极和源极间加上电压，这个区域就是载流子流过的渠道，也就是电流的通道。由于这里的导电通道是N型半导体，所以这种管子叫N沟道结型场效应管，它的代表符号如图所示。箭头的方向，表示栅源极间PN结处于正偏时栅极电流的方向。P沟道结型场效应管除偏置电压的极性和载流子的类型与N沟道结型场效应管不同外，其工作原理完全相同。
绝缘栅型场效应管（MOS管）
绝缘栅型场效应管中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作为金属铝栅极和半导体之间的绝缘层，简称MOS管。它有N沟道和P沟道两类，而每一类又分增强型和耗尽型两种。所谓增强型就是UGS=0时，漏源之间没有导电沟道，即使在漏源之间加上一定范围内的电压，也没有漏极电流；反之，在UGS=0时，漏源之间存在有导电沟道的称为耗尽型。
如图是N沟道增强型MOS管的结构图：一块杂质浓度较低的P型硅片作为衬底B，在其中扩散两个N+区作为电极，分别称为源极S和漏极D。半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏源极间的绝缘层上再制造一层金属铝，称为栅极G。这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。
沟道增强型MOS管结构图
MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)， N沟道增强型MOS管在UGS＜UT (开启电压)时，导电沟道不能形成，ID=0，这时管子处于截止状态；当UGS=UT时，导电沟道开始形成，此时若在漏源极间加正向电压UDD，就会有漏极电流ID产生，管子开始导通；UGS>UT时，随着UGS的增大，导电沟道逐渐变宽，沟道电阻渐小，漏极电流ID渐大。这种漏极电流ID随栅极电位UGS的变化而变化的关系，称为MOS管的压控特性。
显然，MOS管是一种受电压控制的电流放大部件。
3. MOS管使用注意事项
(1) MOS在不使用时栅极不能悬空，务必将各电极短接！
(2)焊接MOS管时，电烙铁的外壳应良好接地，或断电后再焊。
(3)有些MOS管将衬底引出，有4个引脚，这种管子漏极和源极可以互换使用；有些在出厂时已将源极和衬底相连，只引出3个引脚，这种管子漏、源极不能对调使用。
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