1. MOSFET结构
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)分为N沟道NMOS和P沟道PMOS。
下图为NMOS的结构图：
2. MOSFET符号
NMOS的符号图如下所示：
PMOS的符号如下图所示：
3. MOSFET的特性曲线
下面以NMOS为例，介绍MOSFET的特性曲线，下图为NMOS放大电路示意图：
在可变电阻区，负载电流iD随着UGS成非线性关系，同时受输出电压UD的影响；
在恒流区，负载电流iD随UGS的增加而增加，且不随输出电压UD的变化而变化；
在夹断区，负载电流iD基本为0。
4.MOSFET开关特性
当栅极G和源极S之间的电压VGS小于VGS(th)时，由于漏极D和源极S之间有一个反向PN结截止，所以漏极电压等于VGS；
当栅极G和源极S之间的电压VGS大于2VGS(th)时，P型衬底的自由电子被吸引到两个N沟道之间，当浓度达到一定程度，两N沟道被连接起来，从而实现导通。此时VGS为地电平(实际电路中，漏极D与电源之间有负载)。
这样就可以通过控制VGS的高低，实现NMOS开关电路。
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