功率MOSFET可分成两类：P沟道及N沟道：中间箭头向里的是N沟道而箭头向外的是P沟道。它有三个极：漏极（D）。源极（S）及栅极（G）。有一些功率MOS-FET内部在漏源极之间并接了一个二极管或肖特基二极管，这是在接电感负载时，防止反电势损坏 MOSFET。这两类MOSFET的工作原理相同，仅电源电压控制电压的极性相反。
MOS场效应管
有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大
类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：
D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；
G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；
S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
优势：
1、mosfet是电压控制型器件，因此在驱动大电流时无需推动级。电路较简单
2、输入阻抗高，可达百兆Ω以上
3、工作频率范围宽，开关速度高（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关
损耗小
4、有较优良的线性区，并且mosfet的输入比双极型的输入电容小得多，所以
它的交流输入阻抗极高，噪声也小，最适合制作Hi-Fi音响
5、功率mosfet可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流。
· 功率MOSFET都是增强型MOSFET，它具有优良的开关特性。近年来，功率MOSFET广泛地应用于电源、计算机及外设（软、硬盘驱动器、打印机、扫描器等）、消费类电子产品、通信装置、汽车电子及工业控制等领域。
除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。功率MOSFET都是增强型MOSFET，它具有优良的开关特性。
根据以上对功率 MOSFET 特性的分析,其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电,关断时为栅极提供低电阻放电回路,以提高功率 MOSFET 的开关速度;③为了使功率 MOSFET 可靠触发导通, 触发脉冲电压应高于管子的开启电压,为了防止误导通,在其截止时应提供负的栅源电压;④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流,功率管极间电容越大,所需电流越大,即带负载能力越大
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