普通整流二极管整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有最大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据，高频整流二极管1、快恢复二极管FRD（Fast RecoveryDiode）快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区！，构成P-l-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向电流是几安培至几干安培，反向峰值电压可达几百到几干伏。具有开关特性好，反向恢复时间Trr短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管。2、超快恢复二极管SRD（Superfas
普通整流二极管
整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电，整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有最大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。
高频整流二极管1、快恢复二极管FRD（Fast RecoveryDiode）
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区1，构成P-4-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷根小，不仅大大减小了tr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压，快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向电流是几安增至几千安培，反向解信电压可达几百到几干伏。同有开关特性好，反向恢复时间Tm短。正向电流大、体积小、安装简使等优点，可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管。
2、超快恢复二极管SRD（SuperlastRecovery Diode）
在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间Trt比FRD更短，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
3.肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode）
是肖特基势垒二极管的简称。肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属·半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辅电路中用作箱位。
肖特基二极管的主要优点包括两个方面：
1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小。
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