电子元器件市场中，以场效应晶体管最受电子工程师的青睐与喜爱，可是对于场效应晶体管的参数，大家都是一筹莫展，因为场效应晶体管的参数有很多，其中包括直流参数、交流参数和极限参数等，但普通运用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流IDSS夹断电压Up，（结型管和耗尽型绝缘栅管，或开启电压UT（加强型绝缘栅管）、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、耗散功率PDSM和漏源电流IDSM。
（1）饱和漏源电流
饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。
（2）夹断电压
夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道管的UGS一ID曲线，可明白看出IDSS和UP的意义。
（3）开启电压
开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
（4）跨导
跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制才能，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡场效应晶体管放大才能的重要参数。
（5）漏源击穿电压
漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应晶体管正常工作所能接受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应晶体管上的工作电压必需小于BUDS。
（6）耗散功率
耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应晶体管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。运用时场效应晶体管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。
（7）漏源电流
漏源电流IDSM是另一项极限参数，是指场效应晶体管正常工作时，漏源间所允许经过的电流。场效应晶体管的工作电流不应超越IDSM。
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