我们知道MOS管是电压控制的，从理论上MOS管电流为零。但是半导体不是理想器件，不可避免的会存在一些寄生参数。 阅读芯片手册可以知道，栅极驱动电流公式如下图。
Fsw为开关频率，Qg为mos管栅极充满所需电荷 。 MOS管以BSC109N10NS3为例 ，查看该mos管芯片手册，可以知道
Qg为50nC左右。通过上面公式计算Igate = 25mA。 但是问题来了，如下图
INTVcc的电流驱动能力为23mA，也就是说开关频率大概超过500K后，就无法正常驱动这个MOS管了，但是我把开关频率改到900K后，电路从表面上运行正常。为了一探究竟，我决定测试一下MOS管的驱动波形。
波形大致看起来问题不大，放大波形，可以看到栅极电压上升过程中有振铃，这个其实是MOS管的弥勒效应引起的震荡。这个震荡无疑加大了MOS管的开关损耗。之前是在谈论MOS管驱动电流问题，这个震荡问题其实从侧面也反应了这个芯片在Qg = 50nC，开关频率 = 900KHz情况下，驱动能力不足的问题。
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