4N65场效应管参数,4N65参数规格书代换
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4N65/TO-220F参数封装:点击查看
4N65封装有TO-220/TO-220F/TO-252
4N65场效应管参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：650V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：4A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：2.7A
Power Dissipation 功率损耗Pd：50W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=2.0A,VGS=10V：2.5Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
4N65场效应管/TO-220封装尺寸：
4N65场效应管/TO-220F封装尺寸：
4N65场效应管/TO-252封装尺寸：
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280
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