4N60场效应管,4A 600V,4N60参数资料,4N60引脚图,4N60中文资料规格书PDF
4N60/TO-220F参数封装：点击查看
4N60封装有TO-220/TO-220F/TO-252
4N60场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：600V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：4A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：2.5A
Power Dissipation 功率损耗Pd：33W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=2A,VGS=10V：Typ 2.1Ω Max 2.5Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
4N60场效应管/TO-220封装尺寸：
4N60场效应管/TO-220F封装尺寸：
4N60场效应管/TO-252封装尺寸：
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