在大功率全固态广播发射机的射频功率放大器中，利用MOS管的开关特性，可使整个射频功率放大器工作在开关状态，从而提高整机效率，改善技术性能，同时使发射机的射频功率放大器处于低电压范围，有利于设备的稳定运行。
MOS管的开关特性
MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的简称，或称为MOS管，它是有别于结型场效应管的绝缘栅型场效应管。
绝缘栅场效应管分为两种类型：一种是耗尽型场效应管，一种是增强型场效应管。场效应管一般有三个电极，即栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。
若其栅源电压为VGS，则当VGS≤0时，就可能产生漏源电流ID的绝缘栅场效应管，即为耗尽型场效应管。而在VGS≥0的情况下才能产生漏源电流ID的绝缘栅场效应管为增强型场效应管。
一般使用的射频功率场效应管都是增强型MOS管，因而只需提供正向偏压即可使器件工作。
D类MOS管在射频功放中的应用
现以韦尔半导体研发的数字化调幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)发射机为例，来说明D类MOS管在射频功放中的应用。
数字调幅就是将控制载波电平和音频调制的模拟信号首先转换成数字信号，再经过编码变成控制射频功放模块开通和关断的控制信号，通过控制相应数目的射频功放模块的开通或者关断数量来实现调幅。
DAM发射机取消了传统的高电平音频功放，而且所有的射频功率放大器均工作于D类开关状态。
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