开关管Vds电压尖峰
首先来看看MOS应力公式：（理想化处理，不影响结论）
Vds=Vin+n*Vo+Vspike
=Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5
这里两个主要参数的意义：
1、Lk是变压器漏感（实际还应包含PCB寄生电感）；
2、C1为RCD钳位电容（实际还应包含MOS DS两端的电容，一般远小于C1，故忽略）。
降低开关管Vds电压尖峰--如图：
对于大家碰到的开关管Vds电压尖峰问题，90%以上可以采用图中的方法解决，不再为电压尖峰烦恼。
针对本文总结：
1、本文目的是针对反激开关管的Vds电压尖峰问题进行定性分析，从而为降低此尖峰提供指导方向，并不是要去计算它。
可能很多人，不知道其的复杂，都希望用公式计算，这里是很难精确计算的，因为影响因素太多，要计算也需要做一些假设和处理。
2、根据上图，相信可以解决大部分Vds尖峰电压问题。
3、如果图中采用的方法还解决不掉，就需要更加细化，可以采用以下几个整改方向：
A、layout走线优化（功率回路尽量短，使pcb电感尽量小；同时也注意RCD的走线，这里除了会影响尖峰，也会影响传导的高频段和辐射）；
B、调整RCD中的D；（需要重新确认效率、传导、辐射）
C、调整RCD中的R；（需要重新确认效率、传导、辐射）
D、一般Rsense到IC CS pin都有个RC，调整RC时间常数；（需要重新确认过功率点）
E、调整副边二极管的吸收参数。（需要重新确认效率、传导、辐射）
根据图一，加上以上的方法，基本上可以解决所有电压尖峰问题。
对于反激的大部分应用，用600V的MOS就够了。当然了，有特殊要求，如有较大裕量要求的，可能就要用更高耐压的MOS了，但一般对效率不利。
实测的MOS Vds的波形：
图一：尖峰电压1>尖峰电压2
图二：尖峰电压1<尖峰电压2
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