MOSFET门源极并联电容后，开关可靠性得到提升
开关电路如下图：
电路解释
1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；
2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右，以保护Q1；
3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间，如下图：分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况。
结论：通过在开关g s 并联电容，可以有效提升开关mosfet抗干扰能力，尤其在mosfet需要通过外部按键使能的应用，另外并联的电容可以有效滤除由于控制抖动导致的电源开关关断。
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