下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。
在图10控制电路中，上管导通时，VDD通过Q1、Q4对电机进行励磁；上管关断时，电机通过Q4、Q3进行去磁。在整个工作过程中，Q4一直保持开通，Q1, Q2交替开通来对电机转子进行励磁和去磁。
图10. 电机控制电路
图11，图12是上下管开通关断时驱动电压测试波形。可以清楚的看到，在上管开通和关断时，下管栅极上会产生一个尖峰，尖峰的电压增加了上下管同时导通的风险，严重时会造成非常大的电流同时流过上下管，损坏器件。
图11. 上管开通下管关断时的测试波形
图12. 上管关断上管开通时的测试波形
下管开通关断出现的这种波形是由漏栅电容导致的寄生开通现象（如图13所示）。在下管关断后，上管米勒平台结束时，桥臂中点电压由0升到VDD，MOSFET的源极和漏极之间产生陡峭的的dV/dt。
由此在漏栅电容产生的电流会流到栅极，经栅极电阻到地，这样就会在栅极电阻上产生的电压降。这种情况，就会可能发生上下管同时导通，损坏器件。
图13. MOSFET寄生开通机制
下管的这个Vgs尖峰电压（也有公司称之为Vgs bouncing）可以表达为：
Rgoff驱动关断电阻，Rg,ls(int)为MOSFET栅极固有电阻，Rdrv为驱动IC的电阻。从公式（1）可以看到，该电压与Rgtot和Cgd呈正向相关。
所以解决这个问题有两类方法：
1. 减小Rgtot。由公式（2）知道，Rg,ls(int)由器件本身决定，Rdrv由驱动IC决定，所以一般是选择合适的Rg来平衡该Vgs bouncing电压。
2. 选择Crss/Ciss（即Cgd/Cgs）低的MOSFET有助于降低Vgs尖峰电压值。或者在MOSFET栅源之间并上一个电容，也会吸收dV/dt产生的漏删电流。
图15是在下管的GS两端并联5.5nF电容后的开关波形，可以看到电压明显降低，由图11中的3.1V降低到1.7V，大大降低了上下管贯通的风险。
图15. 下管GS并上5.5nF电容的波形
同理，上管关断至米勒平台结束时，下管开通前，桥臂中点电压由VDD降为0，MOSFET的源极和漏极之间产生陡峭的的dV/dt。由此就会在栅极上面产生一个负压。
同时，由图11，图12，可以观察到，下管开通关断过程中，都没有出现米勒平台现象。这是因为在其开通关断时，由于Motor中的电流经过下管的体二极管续流，DS两端电压很小，所以米勒平台也就形成不了了。
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