上篇文章分析了基于 GND 端串入 NMOS 管的防反接电路,本文则对 VCC 端串入 PMOS 管的防反接电路进行分析。相比于以往的防反接电路,MOS 管类型的防反接保护电路,具有低功耗和压降小的优点。
原理图
原理分析
分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接电路”,只不过需要注意 PMOS 管 VGS<0 时,MOS 管开启。
器件分析
分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接电路”,这里 R2 取 1K。
需要注意:
(1)由于 VBAT 端要提供负载的工作电流,因此,要求 PMOS 管的导通内阻比 NMOS 管要更小。一般来说,导通内阻越小,其 Gate 端的结电容就越大,所以 PMOS 管的开关速度就会越慢,因此,要综合考虑。
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