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    • 发布时间:2023-06-07 21:11:34
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    100N10
    100N10 TO-252参数封装:点击查看100N10
    100N10封装有TO-252/TO-220/TO-220F
    100N10场效应管参数如下:
    100N10
     
    极性:NPN
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:100V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:100A
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃:68A
    Power Dissipation 功率损耗Pd:100W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=13.5A,VGS=10V:Typ:6mΩ Max 8mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    100N10场效应管/TO-252封装尺寸:
    100N10
    100N10场效应管/TO-220封装尺寸:
    100N10
    100N10场效应管/TO-220F封装尺寸:
    100N10
     
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