100N10场效应管,100A 100V,100N10参数资料,100N10引脚图,100N10中文资料规格书PDF
100N10 TO-252参数封装：点击查看
100N10封装有TO-252/TO-220/TO-220F
100N10场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：100A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：68A
Power Dissipation 功率损耗Pd：100W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=13.5A,VGS=10V：Typ：6mΩ Max 8mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
100N10场效应管/TO-252封装尺寸：
100N10场效应管/TO-220封装尺寸：
100N10场效应管/TO-220F封装尺寸：
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