三级管简介
三极管是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负电荷的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正电荷的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。
MOS管简介
mos管是金属(metal)氧化物(oxide)半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。
MOS场效应管一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
三级管和MOS管的区别
三级管和MOS管的结构不同，mos管的栅线是用绝缘层和金属网格构成的；而三极管是直接用硅片上的pn结把两个电极连接起来。
控制的区别：三极管是电流驱动的，较低的电压就可以驱动三极管，但是三极管需要较大的控制电流; 而MOS管是电压驱动的，驱动电压较高，但是驱动的功率小。
功耗区别：三极管在放大信号时损耗较大，MOS管电压控制，在开关应用中具有较低的导通电阻和功耗。
驱动能力：MOS管常用于大电流和高电压的开关应用，而三极管则适用于小电流和低电压的信号放大。
成本：三极管通常比MOS管便宜，因此更适用于分立元件电路和中、小规模集成电路。
温度特性：MOS管具有较好的温度稳定性和抗干扰能力。
应用方面：三极管主要用于放大信号，而MOS管则广泛应用于高速、低功耗的数字电路和电源开关。
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