肖特基势垒
肖特基势垒（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金属-半导体接触，即具有大的势垒高度，以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性，是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。
肖特基势垒形成：当金属与半导体接触时，由于金属的导带能级高于半导体的导带能级，而金属的价带能级低于半导体的价带能级，形成了肖特基势垒。肖特基势垒是一个势垒能量，阻止了电子从半导体向金属方向的流动。
肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管（Schottky barrier diodes，SBD）是一种基于肖特基势垒理论的二极管，是金属与半导体材料相互接触，且形成一定的势垒后开始工作的一种多数载流子器件。
肖特基势垒二极管结构与分类
传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。
由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。
其Cg是管壳并联电容，Ls是引线电感，Rs是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。
金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。
因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。
而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势，并且耗尽层只在N型半导体一边（势区全部落在半导体一侧）。
势区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，最终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势，这就是肖特基势垒。
在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建电场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。
当加反向偏压时，自建电场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
肖特基势垒二极管的符号与结构
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