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功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因与解决方法
2019-12-31
功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因与解决方法功率MOS管即功率MOSFET，具有热漂移小，驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高
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MOS管驱动电阻器与MOS管栅极尖峰电压的防护
2019-12-31
MOS管驱动电阻器与MOS管栅极尖峰电压的防护与常规双极晶体管不同，MOS管是电压控制型器件，一般用于小电压控制大电流的情况，包括开关电源
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FET晶体管的类型与MOS管工作原理应用
2019-12-31
FET晶体管的类型与MOS管工作原理应用场效应晶体管或FET是晶体管，其中输出电流由电场控制。FET有时被称为单极晶体管，因为它涉及单载波型操
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不同类型的晶体管与功能应用
2019-12-31
不同类型的晶体管与功能应用晶体管是一个有源元件，并且在所有电子电路中都在建立。它们用作放大器和开关设备。作为放大器，它们用于高和低
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如何使用晶体管作为开关与应用
2019-12-31
如何使用晶体管作为开关与应用晶体管由威廉·肖克利（William Shockley）于1947 年发明。晶体管是一种三端半导体器件，可用于开关应用，
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什么是MOS控制晶闸管与工作应用
2019-12-31
什么是MOS控制晶闸管与工作应用MOS控制晶闸管由VAK Temple开发。它是一个电压控制器，晶闸管是完全可控的晶闸管。MOS控制晶闸管的操作与GT
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双极结型晶体管的工作原理及应用
2019-12-31
双极结型晶体管的工作原理及应用双极结型晶体管使用电子和空穴这两个电荷载流子。诸如场效应晶体管之类的单极晶体管仅使用一种电荷载流子。
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晶体管作为放大器-电路图与工作原理
2019-12-30
晶体管作为放大器-电路图与工作原理晶体管是三端子半导体器件，端子是E（发射极），B（基极）和C（集电极）。该晶体管可以在三个不同的区域
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IGBT绝缘栅双极晶体管电路与特性
2019-12-30
IGBT绝缘栅双极晶体管电路与特性IGBT是半导体器件，IGBT的缩写是绝缘栅双极晶体管。它由具有大范围双极性载流能力的三个端子组成。IGBT的设
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晶体管用作开关-双极结晶体管-BJT作为开关
2019-12-30
晶体管用作开关-双极结晶体管-BJT作为开关晶体管用作开关或双极结晶体管或BJT作为开关的工作原理：当开关处于OFF位置时，开关提供开路（无
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共源共栅放大器的工作原理与应用
2019-12-30
共源共栅放大器的工作原理与应用共源共栅放大器用于增强模拟电路的性能。共源共栅的利用是一种常见的方法，可用于晶体管以及真空管的应用中
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贴片三极管基极电阻如何判断
2019-12-30
贴片三极管基极电阻如何判断确定贴片三极管的基极电阻并不难，从《贴片三极管介绍大全》中，我们可以了解到贴片有三种工作区：截止区、放大