mos管的静态参数
V(BR)DSS：
漏源击穿电压。（D端-S端所能承受电压值，受制于内藏二极管的耐压，条件：VGS=0，ID=250uA时，与温度成正比）
是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。它具有正温度特性，故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。△ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数,一般为 0.1V/ ℃。
RDS(on) ：
在特定的 VGS (一般为 10V,4.5V,2.5V )、结温及漏极电流的条件下，MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。（量测方法：GS给电压，DS端给电流ID，量测VDS与ID，通过欧姆定律算出电阻：内阻）
它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的DC消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。
VGS(th) ：
开启电压(阀值电压)。栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。
当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随着温度的上升而有所降低。
温度特性可以看出VGS(th)随着温度的升高有下降趋势。这表明当温度上升时，VGS(th)变低，就是更低的VGS流过更多的ID。当然，也就是说，这与ID-VGS的温度特性一致。
另外，VGS(th)可用于推算Tj。VGS(th)的温度特性中有直线性，因此可除以系数，根据VGS(th)的变化量计算温度上升。
VFSD：
内嵌二极管的正向导通压降，VFSD=VS-VD。
（测量方法：1.VGS=0V时，量测压降；2.G脚Open时，量测压降；）
IDSS：
指饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压VGS=0时的漏源电流，DS漏电流。（定义：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。）
方法：栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流。一般在纳安级.。
IGSS：
指栅漏电（GS漏电流），测量的时候通常其他电极都是接地的，只在栅上加一个特定的电压，这个值越小越好，越小代表栅氧的质量越好。由于 MOSFET 输入阻抗很大，IGSS 一般在纳安级。
mos管的静态特性
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
工作特性如下：
uGS开启电压UT:MOS管工作在截止区，漏源电流iDS基本为0,输出电压uDS≈UDD,MOS管处于“断开”状态。
uGS>开启电压UT:MOS管工作在导通区，漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS为MOS管导通时的漏源电阻。输出电压UDS=UDD·rDS/(RD+rDS)，如果rDS《RD,则uDS≈0V,MOS管处于“接通”状态。
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