MOS管压降是指当MOS管处于导通(ON)状态时，在MOS管上和下游之间存在的电压差。在导通状态下，MOS管将电流从源极传导到漏极，同时产生电阻。这个电阻产生的电压降就是MOS管压降。
MOS管导通压降不像三极管有个现成的参数，但是其规格书中有导通电阻Rds(on)这个参数，根据MOS管的Vgs电压，对应有一定值的Rds(on)，然后就通过电流Id*Rds(on)来计算压降。180nm工艺及以下的制程基本都能达到50mV以下了（IDS=1mA）。
mos管导通压降受以下几种因素的影响：
（1） MOS 管的导通电阻：导通电阻是导通状态下压降的主要因素，导通电阻值越大，导通状态下的压降也越大。
（2）导通电流大小：导通电流的大小直接影响导通时的压降，导通电流越大，压降也越大。
（3）温度变化：温度的变化会影响 MOS 管的导通电阻，从而对导通状态下的压降产生影响。
mos管导通压降分析
关于用于信号控制的MOS管的导通电压为5v左右，只要导通就行，不需要完全导通，为什么这里导通电压Vgs只要5v左右，为什么不需要完全导通？
先看一个用于信号控制的小功率N沟道MOS管2N7000，如下图：
Rds（on）是MOS管导通时，D极和S极之间的内生电阻，它的存在会产生压降，所以越小越好。D极与S极间电流Id最大时完全导通。
在图中可以看到Vgs=10v完全导通，电阻Rds=5欧左右，电流Id=500mA（最大，完全导通），产生压降Vds=2.5v。而Vgs=4.5v时，Id=75mA（不是最大，没完全导通），Rds=5.3欧左右，虽然没完全导通，但产生的压降Vds=0.4v最小，比Vgs=10v产生的压降小得多。
对于信号控制（控制DS极导通接地实现高低平）来说只要电压，不需要电流，所以只要求MOS管导通时产生的压降越小越好，可以使D极的电压直接被拉为接近0v，因此首选Vgs=4.5v左右，而不选10v。
有些用于信号控制的MOS管如2N7002K，Vgs为10V和4.5V时产生的压降差不多，可以根据情况选择10v或者4.5v左右的导通电压。因此对信号控制来说，原则上是选择导通时产生的压降越小越好。
那么对于使用在电源控制方面，既需要电压也需要电流的大功率MOS管来说，就需要完全导通，那么导通电压是多少呢？
再来看一个大功率N沟道MOS管AO1428A，如下图：
从图中可以看出Vgs为10v和4.5v时，Id为12.4A，都达到最大，都可完全导通。但10v比4.5v的导通电阻小，产生压降小（大约差0.7v），并且10v的开关速度快，损失的能量少，开关效率高，所以首选10v。
至于P沟道MOS管，跟N沟道的差不多，这时不做解析了，它用在信号控制方面的很少，主要是用在电源控制如AO4425，G极电压必须低于S极10V以上，也就是Vgs《-10v，才能完全导通（Rds= 9 mΩ左右）。
如下图：
信号控制使用的MOS管，只要电压，不需要电流，要求导通时产生的压降Vds最小，首选Vgs=4.5v左右，对信号控制来说，原则上是选择导通时产生的压降越小越好。电源控制使用的MOS管，既要电压也要电流，要求完全导通，要求Id最大，产生的压降Vds最小，首选Vgs=10v左右。
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