MOS管源极漏极栅极
MOS管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）三部分组成的。其中，金属部分被用作栅极（Gate）、氧化物部分被用作绝缘层（Gate Oxide），半导体部分则被用作沟道（Channel）和源漏极（Source/Drain）。
栅极(gate electrode)--gate是门的意思。中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。
源极(source)--source指资源，电源。中文翻译为源极。起发射作用的电极。
漏极(drain)--drain意味排出，泄漏。中文翻译为漏极。起集电作用的电极。
结型场效应晶体管（JFET） 广泛用于电子电路中。结型场效应晶体管是一种可靠且有用的电子元件，可以很容易地用于从放大器到开关电路的各种电子电路中。
结型场效应管（JFET）有 3 个端子，分别命名为 Source（源极）、Drain（漏极）、Gate （栅极）
1、源极：是与通道的一端形成连接的终端。通常情况下，源极端子提供多数电荷载流子，会产生通过结型场效应管（JFET）的电流。
2、漏极：漏极端子位于源极端子的另一端，大多数电荷载流子从一端移动到另一端，并在晶体管的漏极端子收集。
3、栅极：此端子由基板上的两个重度扩散区域的组合连接形成，控制电流水平的电压在栅极端子处提供。
通道：这是多数载流子从源极端子传递到漏极端子的区域。
结场效应管结构
结型场效应管（JFET）的结构如下所示。由 N 型或 P 型材料制成的实心棒构成了设备的主体。
栅材料沉积物之间的栅条部分的横截面比栅条的其余部分小，并形成连接源极和漏极的“通道”。
下图显示了一个 N 型材料的栅极和一个 P 型材料的栅极。因为沟道中的材料是N型，所以该器件称为 N 沟道结型场效应管（JFET）。在 P 沟道 结型场效应管（JFET）中，沟道由 P 型材料制成，栅极由 N 型材料制成。
结型场效应管（JFET）可以是 N 沟道器件或 P 沟道器件。它们可以以非常相似的方式制作，主要的例外是结构中的 N 和 P 区域是互换的。
N 和 P 沟道结型场效应管 （JFET ）之间的唯一实际区别是栅极材料和沟道之间形成的 PN 结的偏置。也就是根据制造时使用的基本半导体材料进行分类，或者说，负责电流通过设备的多数载流子。
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