场效应管mos管参数字母含义
Cds漏-源电容
Cdu-漏-衬底电容
Cgd-栅-源电容
Cgs-漏-源电容
Ciss-栅短路共源输入电容
Coss-栅短路共源输出电容
Crss-栅短路共源反向传输电容
D-占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt-电流上升率（外电路参数）
dv/dt-电压上升率（外电路参数）
ID-漏极电流（直流）
IDM-漏极脉冲电流
ID（on）-通态漏极电流
IDQ-静态漏极电流（射频功率管）
IDS-漏源电流
IDSM-最大漏源电流
IDSS-栅-源短路时，漏极电流
IDS（sat）-沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG-栅极电流（直流）
IGF-正向栅电流
IGR-反向栅电流
IGDO-源极开路时，截止栅电流
IGSO-漏极开路时，截止栅电流
IGM-栅极脉冲电流
IGP-栅极峰值电流
IF-二极管正向电流
IGSS-漏极短路时截止栅电流
IDSS1-对管第一管漏源饱和电流
IDSS2-对管第二管漏源饱和电流
Iu-衬底电流
Ipr-电流脉冲峰值（外电路参数）
gfs-正向跨导
Gp-功率增益
Gps-共源极中和高频功率增益
GpG-共栅极中和高频功率增益
GPD-共漏极中和高频功率增益
ggd-栅漏电导
gds-漏源电导
K-失调电压温度系数
Ku-传输系数
L-负载电感（外电路参数）
LD-漏极电感
Ls-源极电感
rDS-漏源电阻
rDS（on）-漏源通态电阻
rDS（of）-漏源断态电阻
rGD-栅漏电阻
rGS-栅源电阻
Rg-栅极外接电阻（外电路参数）
RL-负载电阻（外电路参数）
R（th）jc-结壳热阻
R（th）ja结环热阻
PD-漏极耗散功率
PDM-漏极最大允许耗散功率
PIN-输入功率
POUT-输出功率
PPK-脉冲功率峰值（外电路参数）
to（on）-开通延迟时间
td（off）-关断延迟时间
ti-上升时间
ton-开通时间
toff-关断时间
tf-下降时间
trr-反向恢复时间
Tj-结温
Tjm-最大允许结温
Ta-环境温度
Tc-管壳温度
Tstg-贮成温度
VDS-漏源电压（直流）
VGS-栅源电压（直流）
VGSF-正向栅源电压（直流）
VGSR-反向栅源电压（直流）
VDD-漏极（直流）电源电压（外电路参数）
VGG-栅极（直流）电源电压（外电路参数）
Vss-源极（直流）电源电压（外电路参数）
VGS（th）-开启电压或阀电压
V（ BR）DSS-漏源击穿电压
V（BR）GSS-漏源短路时栅源击穿电压
VDS（on）漏源通态电压
VDS（sat）-漏源饱和电压
VGD-栅漏电压（直流）
Vsu-源衬底电压（直流）
VDu-漏衬底电压（直流）
VGu-栅衬底电压（直流）
Zo-驱动源内阻
n-漏极效率（射频功率管）
Vn-噪声电压
alD-漏极电流温度系数
ards-漏源电阻温度系数
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