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  • MOS管的基础特性和实际应用介绍
    • 发布时间:2024-07-20 18:11:44
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    MOS管的基础特性和实际应用介绍
    一、MOS管的基础特性
    (1)MOS管有栅极G,漏极D,源极S;
    (2)PMOS管(类似于PNP),低电平导通,高电平截止;
    MOS管 基础特性
    PMOS管
    (3)NMOS管(类似于NPN),高电平导通,低电平截止。
    MOS管 基础特性
    NMOS管
    二、MOS管的开关特性应用
    1、阻断VCC端
    用于阻断VCC端,使用PMOS管,且源端S接VCC端。
    使用Multisum仿真,效果如下:
    (1)G极接低电平
    MOS管 基础特性
    (2)G极接高电平
    MOS管 基础特性
    2、阻断GND端
    用于阻断GND端,使用NMOS管,且源端S接GND端。
    使用Multisum仿真,效果如下:
    (1)G极接低电平
    MOS管 基础特性
    (2)G极接高电平
    MOS管 基础特性
    三、MOS管的实际应用
    (1)替换三极管
    因MOS管没有结点电压,三极管有0.3V的CE极结点电压,故常用于替换三极管,做信号端控制。
    (2)用于低功耗电路的电源输出控制
    在做电池供电类的低功耗产品时,对于主控休眠时,
    MOS管 基础特性
    电源控制
    需要对不工作的电路部分,进行断电,来减少电量损耗。
    如遥控器不操作时,芯片休眠,且断开对射频部分的供电。
    (3)用于防反接电路
    MOS管 基础特性
    防反接
    防止电路中,VCC与GND接反,导致电路烧坏。
    (4)用于推挽输出
    MOS管 基础特性
    推挽输出
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