公海赌赌船官网jc710

您好!欢迎光临公海赌赌船官网jc710科技品牌官网!

深圳市公海赌赌船官网jc710科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二极管、三极管、MOS管、桥堆

全国服务热线:18923864027

  • 热门关键词:
  • 桥堆
  • 场效应管
  • 三极管
  • 二极管
  • MOS管的特性曲线图介绍
    • 发布时间:2024-07-24 18:48:13
    • 来源:
    • 阅读次数:
    MOS管的特性曲线图介绍
    一、MOS管的特性曲线
    MOS管特性曲线
    从转移特性曲线可以看出:当Vgs上升到Vth时,MOS管开始导通电流。
    从输出特性曲线可以看出:Vgs的大小决定了恒流区即MOS管导通电流的通道宽的大小,也决定了可变电阻区,MOS导通电阻的大小。
    通常Vgs越大,通道越宽、导通电阻越小。
    工作在开关状态的MOS都是落在可变电阻区。
    二、MOS管的开通过程
    MOSFET 晶体管的开通动作可分为如下图中所示的 4 个阶段
    第一阶段,器件的输入电容从 0V 充电至 VTH。在此期间,大部分栅极电流用于对 CGS 电容器充电。少量电流也会流经 CGD 电容器。随着栅极电压的升高,CGD 电容器的电压将略有下降。这个期间称为开通延时,因为器件的漏极电流和漏极电压均保持不变。
    第二阶段,栅极电平从 VTH 升高到米勒平坦电平 VGS,Miller。电流与栅极电压成正比,这是器件的线性工作区(恒流区)。在栅极侧,就像在第一阶段中那样,电流流入 CGS 和 CGD 电容器中,并且 VGS 电压升高。在器件的输出端,漏极电流升高,同时漏源电压保持之前的电平 (VDS,off)。基本不变。
    第三阶段,米勒平坦区域。驱动器提供的所有栅极电流都被转移,从而对 CGD 电容器充电,以便在漏源极端子上实现快速的电压变化(下降到接近0)。现在,器件的漏极电流受到外部电路的限制,因此保持恒定。
    第四阶段,通过施加更高的栅极驱动电压,充分增加 MOSFET 的导通电流通道宽。VGS 的最终幅值决定了开通期间器件的最终(更小的)导通电阻。所以,在第四阶段中,VGS 从 VGS,Miller 上升至最终值 VDRV。这通过对 CGS 和 CGD 电容器充电来实现,因此现在栅极电流在两个组件之间分流。当这些电容器充电时,漏极电流仍然保持恒定,而由于器件的导通电阻下降,漏源电压略有下降。
    三、MOS管的关断过程
    第一个阶段,关断延迟,需要将 CISS 电容从初始值放电至米勒平坦电平。在这段时间内,栅极电流由 CISS 电容器自己提供,并流经 MOSFET 的 CGS 和 CGD 电容器。随着过驱电压降低,器件的漏极电压略有上升。漏极的电流保持不变。
    第二阶段,MOSFET 的漏源电压从 ID⋅RDS(on) 上升至最终的 VDS,off 电平,在此时间段内,与栅极电压波形中的米勒平坦区域对应,栅极电流完全是 CGD 电容器的充电电流,因为栅源极电压是恒定的。
    第三阶段,栅极电压继续从 VGS,Miller 下降至 VTH。绝大部分栅极电流来自 CGS 电容器,因为 CGD 电容器实际上在前一个阶段中就已经充满电了。漏极电压在 VDS,off 处保持稳定。漏极电流下降到接近0 。
    第四阶段,对器件的输入电容完全放电。VGS 进一步下降,直至达到 0V。器件的漏极电流和漏极电压保持不变。
    四、几点结论
    可以理解为:MOS的Id与Vds是分时开通或关断的。Vgs米勒平台区域这段时间 Vds 上升(关断)或下降(开通),Vth~Vmiller 这段时间,Id上升(开通)或下降(关断)。
    门极电容Cgs远大于(几十倍)反转电容Cgd,但高压应用中,Cgd要进行米勒等效换算到门极。
    整个开关过程,就是对Cgs、Cgd的充放电过程。因此,G极的波形上升、下降时间与Id关系不大,而与Vds有一定关系(Cgd的米勒等效)。
    〈公海赌赌船官网jc710/XXW〉专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆等,20年,工厂直销省20%,上万家电路电器生产企业选用,专业的工程师帮您稳定好每一批产品,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信,由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
     
    联系号码:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相关阅读
    公海赌赌船官网jc710