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在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。

那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都是对电源的效率有直接的影响，主要是传导损耗和开关损耗。

还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。

用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing FET应用中，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性，比如，在电源设计中，每个电源常常需求多个ORing MOS管并行工作，需求多个器件来把电传播送给负载。在许多状况下，设计人员必需并联MOS管，以有效降低RDS(ON)。在DC电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比方，两个并联的2Ω 电阻相当于一个1Ω的电阻 。因而，普通来说，一个低RDS(ON) 值的MOS管，具备大额定电流，就能够让设计人员把电源中所用MOS管的数目减至少。
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