图1-81所示是某型号三极管共发射极电路输入特性曲线。图中，x轴为发射结的正向偏置电压大小，对于NPN型三极管而言，这一正向偏置电压用UBE表示，即基极电压高于发射极电压;对于PNP型三极管而言为UEB，即发射极电压高于基极电压。y轴为基极电流大小。
从曲线中可以看出，这一输入特性曲线同二极管的伏-安特性曲线十分相似。
输入特性曲线与集电极和发射极之间直流电压UCE大小有关，当UCE=0V时，曲线在最左侧，这说明有较小的发射结正向电压时，便能有基极电流。当UCE大到一定程度后，其对输入特性的影响就明显减小了。
三极管输入特性曲线说明了发射结正向偏置电压与基极电流之间的关系。当UCE大小一定时，UBE大，基极电流大;当UBE大到一定值时，图中是0.6U左右，UBE只要再大一点，基极电流就会增大许多。对于硅三极管而言，这一UBE值为0.6V左右，对于锗三极管而言为0.2V左右。另外，不同型号的三极管具有不同的输入特性曲线。
三极管输出特性曲线
表征三极管电特性的是伏-安特性，其中有两个：一是输入特性，二是输出特性。图1-82所示是某型号三极管共发射极电路的输出特性曲线。
三极管的输出特性是指在基极电流IB大小一定时，输出电压UCE与输出电流IC之间的关系。从图中可以看出，在不同的IB下，有不同的输出曲线。
图中，x轴为UCE大小，y轴为IC大小。从这一图中还可以看出三极管的截止区、放大区和饱和区。不同型号三极管有不同的输出特性曲线。
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