MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管）简称 MOSFET，是一种电压控制的半导体器件，是一种非常重要、广泛应用、技术含量较高的场效应管。
MOS管的特点
高输入阻抗：MOS管的输入电阻非常高，一般在10^7~10^15欧姆之间，这使得其在处理微弱信号时表现出色。
低噪声系数：由于其高输入阻抗，MOS管的噪声系数很低，适用于低噪声放大电路。
低功耗：MOS管的导通电阻极低，这使得其在工作时产生的功耗较低，适用于需要高效能电源管理的应用。
快速响应：MOS管的开关速度极高，适用于高频应用。
宽工作电压范围：MOS管适用于不同的电源电压，从低压到高压都有应用。
易于集成：由于其结构特点，MOS管易于与现代集成电路技术集成。
稳定性高：MOS管具有较高的热稳定性和抗冲击性能。
常开型设计：MOS管可以实现常开式电路（Depletion型MOS管），这可以避免机械失灵时出现的危险情况。
应用广泛：MOS管广泛应用于开关电源、LED驱动、电源适配器、PC电源、不间断电源、驱动电源等多个领域。
mos管的特性
开关特性：首先MOS管是压控器件，作为开关使用时，NMOS管只要满足Vgs大于Vgs（th）即可导通。
开关损耗：MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，一般导通电阻都比较小。
导通特性：导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。Vgs满足一定条件就会导通。
寄生电容驱动特性：GS和GD之间存在寄生电容，MOS管的驱动理论上是对电容的充放电；对电容的充电需要一个电流，由于电容在充电的瞬间可以作为短路，所以瞬间电流就会增大。
寄生二极管特性：漏极源极之间有个寄生二极管，在马达继电器的应用中，主要是用来保护电路的，不过寄生二极管只存在单个MOS管中，集成芯片中是没有的。
转移特性：MOS管的转移特性是指漏源电压固定时，栅源电压Vgs对漏极电流Id的控制特性。
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